Проектирование аналого-цифрового преобразователя

Выходной ток ЦАП сравнивается с током, протекающим через входной резистор от источника входного сигнала. Тем самым формируется соответствующий логический сигнал управления регистром последовательных приближений (РПП). Стабилизация разрядных токов ЦАП осуществляется от встроенного ИОН на основе стабилитрона со «скрытой» структурой. Схема ИОН содержит узел компенсации температурных изменений напряжения стабилизации. Включение АЦП в режиме работы по биполярному току осуществляется подсоединением вывода BOFF к цифровой земле. При этом на выходе ЦАП задается ток, равный току СР, но противоположной полярности.
10 разрядный РПП занимает небольшую площадь на кристалле и экономичен по питанию. Тактирование РПП осуществляется встроенным ГТИ, формирующим тактовые импульсы частотой 300 — 400 кГц.
3243836131320719404920369Установка РПП в исходное состояние и запуск его в режим преобразования производятся по внешнему логическому сигналу Гашение/Преобразование (B&C). По окончании преобразования АЦП вырабатывает сигнал Готовности данных (DR), и информация из РПП поступает на цифровые выходы через выходные каскады с тремя состояниями. Временные диаграммы входных и выходных сигналов приведены на рис.5 ниже.
Элементы, определяющие параметры и характеристики преобразования, рассчитаны на номинальное напряжение входного сигнала 10 В в режиме униполярного тока и ±5 В в режиме биполярного тока. Основные электрические параметры АЦП типа 1113ПВ1 приведены выше в таблицах основных электрических параметров.
Рекомендуемая схема включения микросхемы типа 1113ПВ1 и основная схема включения микросхем при униполярном и биполярном напряжениях на входах показаны на рис.6…рис.8 ниже.
Внешние резисторы позволяют регулировать напряжения в конечной точке шкалы и нуля в пределах ±3 МЗР.
Микросхема обеспечивает нормальное функционирование при отклонении напряжений питания от номинальных значений до ±5%.
При установке БИС АЦП на плате необходимо осуществлять развязку между аналоговой и цифровой землей. Разность потенциалов между ними не должна превышать ±0,2 В.